檢索結果:共2筆資料 檢索策略: " Resistivity".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先,在全氮氣氣氛下成長時,發現成長壓力為75 torr時,可以成長出表面較為平坦的薄膜,但因薄膜電性仍未…
2
在本論文中我們使用射極-濺鍍沉積參鎢氧化銦以及氫化氧化銦之透明導電膜,期望能利用該等材質較高的功函數以及光學透過特性應用於矽晶異質接面太陽能電池的製作上,以獲得較佳電池轉換效率之表現。實驗結果顯示,…